频率 280 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 15 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 150 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 200 @10mA, 2V
额定功率Max 200 mW
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
封装 SOT-563
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PBSS3515VS,115 | NXP 恩智浦 | SOT-666 PNP 15V 0.5A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PBSS3515VS,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-563 PNP 200mW | 当前型号 | SOT-666 PNP 15V 0.5A | 当前型号 | |
型号: BC858CDXV6T1G 品牌: 安森美 封装: SOT-563 PNP -30V -100mA 500mW | 功能相似 | NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | PBSS3515VS,115和BC858CDXV6T1G的区别 | |
型号: PBSS3515VS 品牌: 恩智浦 封装: SOT-363/SC-88 PNP | 功能相似 | PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors | PBSS3515VS,115和PBSS3515VS的区别 |