BC858CDXV6T1G中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -100 mA
针脚数 6
极性 PNP
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 500 mW
直流电流增益hFE 420
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563-6
外形尺寸
长度 1.7 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-563-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC858CDXV6T1G引脚图与封装图
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在线购买BC858CDXV6T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC858CDXV6T1G | ON Semiconductor 安森美 | NPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 搜索库存 |
替代型号BC858CDXV6T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC858CDXV6T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-563 PNP -30V -100mA 500mW | 当前型号 | NPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 当前型号 |
| 型号： BC858CDXV6T5 品牌： 安森美 封装： SOT-563 PNP -30V -100mA | 完全替代 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor | BC858CDXV6T1G和BC858CDXV6T5的区别 |
| 型号： BC858CDXV6T5G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 PNP -30V -100mA | 完全替代 | SOT-563 PNP 30V 0.1A | BC858CDXV6T1G和BC858CDXV6T5G的区别 |
| 型号： PBSS3515VS,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-563 PNP 200mW | 功能相似 | SOT-666 PNP 15V 0.5A | BC858CDXV6T1G和PBSS3515VS,115的区别 |