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M54523P、MC1413BDR2G、ULN2003ANE4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M54523P MC1413BDR2G ULN2003ANE4

描述 7 -UNIT 500毫安达林顿晶体管阵列钳位二极管 7-UNIT 500mA DARLINGTON TRANSISTOR-ARRAY WITH CLAMP DIODEON SEMICONDUCTOR  MC1413BDR2G  晶体管阵列TEXAS INSTRUMENTS  ULN2003ANE4  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

数据手册 ---

制造商 Mitsubishi (三菱) ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 - 16 16

封装 PDIP SOIC-16 DIP-16

输出接口数 - - 7

通道数 - - 7

针脚数 - 16 16

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

驱动器/包 - - 7

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

输入电压(Max) - - 5 V

输出电压(Max) - - 50 V

输出电流(Max) - - 500 mA

直流电流增益(hFE) - 1000 1000

工作温度(Max) - 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -20 ℃

电源电压(DC) - 30.0 V -

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 500 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

输出电压 - 50 V -

输出电流 - 500 mA -

最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @350mA, 2V -

输入电压 - 30 V -

封装 PDIP SOIC-16 DIP-16

长度 - 10 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

工作温度 - 150℃ (TJ) -20℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -