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ULN2003ANE4

ULN2003ANE4

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  ULN2003ANE4  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

高电压, 高电流达林顿阵列, 每个包含7个开集达林顿对, 共发射极。适用于继电器驱动器, 步进和DC有刷电机驱动器, 灯驱动器, 显示器驱动器 LED或GDT, 线路驱动器和逻辑缓冲器。

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带有抑制二极管, 用于感性负载
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输出可以并联, 以输出更高的电流
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TTL/CMOS/PMOS/DTL兼容输入
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输入引脚的位置在输出引脚的对面, 以简化布局

得捷:
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP


立创商城:
ULN2003ANE4


德州仪器TI:
50-V, 7-ch darlington transistor array, -20C to 70C


贸泽:
达林顿晶体管 Darlington


e络盟:
双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP


艾睿:
Do you have a circuit where a higher current gain is required? Texas Instruments&s; NPN ULN2003ANE4 Darlington transistor can help! This product&s;s maximum continuous DC collector current is 0.5 A. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This Darlington transistor array has a minimum operating temperature of -20 °C and a maximum of 70 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V.


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin PDIP Tube


Newark:
Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP


Win Source:
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP / Power Switch/Driver 1:1 NPN 500mA 16-PDIP


ULN2003ANE4中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 7

通道数 7

针脚数 16

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

驱动器/包 7

集电极最大允许电流 0.5A

输入电压Max 5 V

输出电压Max 50 V

输出电流Max 500 mA

直流电流增益hFE 1000

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min -20 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 16

封装 DIP-16

外形尺寸

封装 DIP-16

物理参数

工作温度 -20℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

ULN2003ANE4引脚图与封装图
ULN2003ANE4引脚图

ULN2003ANE4引脚图

ULN2003ANE4封装图

ULN2003ANE4封装图

ULN2003ANE4封装焊盘图

ULN2003ANE4封装焊盘图

在线购买ULN2003ANE4
型号 制造商 描述 购买
ULN2003ANE4 TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  ULN2003ANE4  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP 搜索库存
替代型号ULN2003ANE4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ULN2003ANE4

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC NPN

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  ULN2003ANE4  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

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型号: MC1413BDR2G

品牌: 安森美

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型号: ULN2003AN

品牌: 德州仪器

封装: SOIC NPN 50V 500mA

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型号: MC1413DR2G

品牌: 安森美

封装: SOIC NPN 50V 500mA

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