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MC1413BDR2G

MC1413BDR2G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MC1413BDR2G  晶体管阵列

NPN 复合,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC


立创商城:
MC1413BDR2G


欧时:
### NPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


贸泽:
达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  MC1413BDR2G  晶体管阵列


艾睿:
Compared to other transistors, the NPN MC1413BDR2G Darlington transistor from ON Semiconductor can provide you with a higher current gain value. This product&s;s maximum continuous DC collector current is 0.5 A, while its minimum DC current gain is 1000@350mA@2 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@500uA@350mA V. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This Darlington transistor array has an operating temperature range of -40 °C to 85 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V.


Allied Electronics:
IC, Transistor; Darlington; NPN; 50V; 500mA; SOIC-16; Cut Tape


安富利:
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin SOIC T/R


富昌:
MC1413B Series Darlington Surface Mount Darlington Array - SOIC-16


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin SOIC T/R


Verical:
Trans Darlington NPN 50V 0.5A Automotive 16-Pin SOIC T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MC1413BDR2G  Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 1.1 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC


力源芯城:
反相输出达林顿管阵列


Win Source:
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO


DeviceMart:
IC TRANS ARRAY DARL HV 16SOIC


MC1413BDR2G中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 30.0 V

额定电压DC 50.0 V

额定电流 500 mA

无卤素状态 Halogen Free

输出电压 50 V

输出电流 500 mA

针脚数 16

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 1000 @350mA, 2V

直流电流增益hFE 1000

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

输入电压 30 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 SOIC-16

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 消费电子产品, 照明, 工业, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

MC1413BDR2G引脚图与封装图
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在线购买MC1413BDR2G
型号 制造商 描述 购买
MC1413BDR2G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MC1413BDR2G  晶体管阵列 搜索库存
替代型号MC1413BDR2G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MC1413BDR2G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOIC NPN 50V 500mA

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MC1413BDR2G  晶体管阵列

当前型号

型号: ULN2003D1013TR

品牌: 意法半导体

封装: SOIC NPN 50V 500mA

完全替代

STMICROELECTRONICS  ULN2003D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

MC1413BDR2G和ULN2003D1013TR的区别

型号: MC1413DR2G

品牌: 安森美

封装: SOIC NPN 50V 500mA

完全替代

NPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

MC1413BDR2G和MC1413DR2G的区别

型号: ULQ2003ADR

品牌: 德州仪器

封装: SOIC NPN 50V 500mA

完全替代

TEXAS INSTRUMENTS  ULQ2003ADR  达林顿晶体管阵列, NPN, 7, 50V

MC1413BDR2G和ULQ2003ADR的区别