BD676G、TIP32CG、BD676对比区别
描述 PNP 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR TIP32CG 单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 10 hFE塑料中功率硅PNP达林顿 Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-126-3 TO-220-3 TO-225-3
频率 - 3 MHz -
额定电压(DC) -45.0 V -100 V -45.0 V
额定电流 -4.00 A -3.00 A -4.00 A
针脚数 3 3 -
极性 PNP PNP, P-Channel PNP
耗散功率 40 W 40 W 40 W
增益频宽积 - 3 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 100 V 45 V
热阻 - 3.125℃/W (RθJC) -
集电极最大允许电流 4A 3A 4A
最小电流放大倍数(hFE) 750 @1.5A, 3V 10 @3A, 4V 750
额定功率(Max) 40 W 2 W 40 W
直流电流增益(hFE) 750 10 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 40000 mW 2000 mW 14 W
无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free
长度 7.74 mm 10.28 mm 7.74 mm
宽度 2.66 mm 4.83 mm 2.66 mm
高度 11.04 mm 9.28 mm 11.04 mm
封装 TO-126-3 TO-220-3 TO-225-3
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tube Bulk
最小包装 - - 500
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
HTS代码 - 8541290095 -