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BD676

BD676

数据手册.pdf

塑料中功率硅PNP达林顿 Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons

This series of plastic, medium-power PNP Darlington transistors can be used as output devices in complementary general-purpose amplifier applications.

Features

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 |

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High DC Current Gain -

hFE = 750 Min @ IC = 1.5 and 2.0 Adc

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Monolithic Construction
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, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682

are complementary with BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681

.
BD 678, 678A, 680, 680A

are equivalent to MJE 700, 701, 702, 703

.
Pb-Free Packages are Available
BD676中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -4.00 A

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 750

额定功率Max 40 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 14 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-225-3

外形尺寸

长度 7.74 mm

宽度 2.66 mm

高度 11.04 mm

封装 TO-225-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

最小包装 500

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

BD676引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BD676
型号 制造商 描述 购买
BD676 ON Semiconductor 安森美 塑料中功率硅PNP达林顿 Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons 搜索库存
替代型号BD676
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BD676

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： TO-225 PNP -45V -4A 40000mW

当前型号

塑料中功率硅PNP达林顿 Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons

当前型号

型号： BD682G

品牌： 安森美

封装： TO-225-3 PNP -100V 4A 40000mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BD682G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 40 W, -4 A, 750 hFE

BD676和BD682G的区别

型号： BD676G

品牌： 安森美

封装： TO-225 PNP -45V -4A 40000mW

类似代替

PNP 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

BD676和BD676G的区别

型号： TIP32CG

品牌： 安森美

封装： TO-220AB PNP -100V -3A 2000mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  TIP32CG  单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 10 hFE

BD676和TIP32CG的区别