频率 3 MHz
额定电压DC -100 V
额定电流 -3.00 A
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 40 W
增益频宽积 3 MHz
击穿电压集电极-发射极 100 V
热阻 3.125℃/W RθJC
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 10
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.28 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.28 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541290095
TIP32CG引脚图
TIP32CG封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TIP32CG | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR TIP32CG 单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 10 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: TIP32CG 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-220AB PNP -100V -3A 2000mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR TIP32CG 单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 10 hFE | 当前型号 | |
型号: TIP107G 品牌: 安森美 封装: TO-220-3 PNP -100V -8A 2000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR TIP107G 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 2 W, 8 A, 20 hFE | TIP32CG和TIP107G的区别 | |
型号: TIP127G 品牌: 安森美 封装: TO-220-3 PNP -100V -5A 2000mW | 类似代替 | PNP 复合晶体管,On Semiconductor这些 ON Semiconductor 复合晶体管是包含两个双极性晶体管(集成或分离设备)的复合结构。 这些设备连接,因此第二个晶体管进一步放大由第一个晶体管放大的电流。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管 | TIP32CG和TIP127G的区别 | |
型号: BD682G 品牌: 安森美 封装: TO-225-3 PNP -100V 4A 40000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BD682G 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 40 W, -4 A, 750 hFE | TIP32CG和BD682G的区别 |