BD676G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -4.00 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 40 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 750 @1.5A, 3V
额定功率Max 40 W
直流电流增益hFE 750
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
外形尺寸
长度 7.74 mm
宽度 2.66 mm
高度 11.04 mm
封装 TO-126-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 Industrial, 工业
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
BD676G引脚图与封装图 
BD676G引脚图
BD676G封装焊盘图
在线购买BD676G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BD676G | ON Semiconductor 安森美 | PNP 复合晶体管，On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 搜索库存 |
替代型号BD676G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BD676G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-225 PNP -45V -4A 40000mW | 当前型号 | PNP 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 当前型号 |
| 型号： BD676 品牌： 安森美 封装： TO-225 PNP -45V -4A 40000mW | 类似代替 | 塑料中功率硅PNP达林顿 Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons | BD676G和BD676的区别 |
| 型号： TIP32CG 品牌： 安森美 封装： TO-220AB PNP -100V -3A 2000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR TIP32CG 单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 10 hFE | BD676G和TIP32CG的区别 |
| 型号： TIP41CG 品牌： 安森美 封装： TO-220 NPN 100V 6A 2000mW | 功能相似 | NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | BD676G和TIP41CG的区别 |