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BSV52、BSV52,215、BSV52LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSV52 BSV52,215 BSV52LT1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSV52..  射频双极晶体管NXP  BSV52,215  单晶体管 双极, 开关, NPN, 12 V, 500 MHz, 250 mW, 100 mA, 40 hFEON SEMICONDUCTOR  BSV52LT1G  单晶体管 双极, NPN, 12 V, 400 MHz, 225 mW, 100 mA, 25 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 400 MHz 500 MHz 400 MHz

额定电压(DC) 12.0 V - 12.0 V

额定电流 200 mA - 200 mA

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 225 mW 250 mW 225 mW

增益频宽积 - - 400 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 12 V 12 V 12 V

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @10mA, 1V 40 @10mA, 1V 40 @10mA, 1V

额定功率(Max) 225 mW 250 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 25 40 25

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 225 mW 250 mW 300 mW

额定功率 225 mW - -

最大电流放大倍数(hFE) 120 25 @1mA, 1V -

长度 2.92 mm - 3.04 mm

宽度 1.3 mm - 2.64 mm

高度 0.93 mm - 1.11 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99