BSV52
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
BSV52中文资料参数规格
技术参数
频率 400 MHz
额定电压DC 12.0 V
额定电流 200 mA
额定功率 225 mW
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 120
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 25
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
BSV52引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BSV52
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSV52 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23 NPN 12V 200mA 225mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSV52.. 射频双极晶体管 | 当前型号 |
| 型号： MMBT6429LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 45V 200mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT6429LT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFE | BSV52和MMBT6429LT1G的区别 |
| 型号： BSV52LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 12V 200mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BSV52LT1G 单晶体管 双极, NPN, 12 V, 400 MHz, 225 mW, 100 mA, 25 hFE | BSV52和BSV52LT1G的区别 |