BSV52LT1G中文资料参数规格
技术参数
频率 400 MHz
额定电压DC 12.0 V
额定电流 200 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
增益频宽积 400 MHz
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 1V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 25
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.04 mm
宽度 2.64 mm
高度 1.11 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
BSV52LT1G引脚图与封装图 
BSV52LT1G引脚图
BSV52LT1G封装焊盘图
在线购买BSV52LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSV52LT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR BSV52LT1G 单晶体管 双极, NPN, 12 V, 400 MHz, 225 mW, 100 mA, 25 hFE | 搜索库存 |
替代型号BSV52LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSV52LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 12V 200mA 300mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR BSV52LT1G 单晶体管 双极, NPN, 12 V, 400 MHz, 225 mW, 100 mA, 25 hFE | 当前型号 |
| 型号： BSV52LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 12V 200mA | 完全替代 | 开关晶体管 Switching Transistor | BSV52LT1G和BSV52LT1的区别 |
| 型号： BSV52 品牌： 安森美 封装： SOT-23 225mW | 类似代替 | 小信号 NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | BSV52LT1G和BSV52的区别 |