频率 500 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 25 @1mA, 1V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BSV52,215 | NXP 恩智浦 | NXP BSV52,215 单晶体管 双极, 开关, NPN, 12 V, 500 MHz, 250 mW, 100 mA, 40 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BSV52,215 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-236AB NPN 250mW | 当前型号 | NXP BSV52,215 单晶体管 双极, 开关, NPN, 12 V, 500 MHz, 250 mW, 100 mA, 40 hFE | 当前型号 | |
型号: BSV52 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 NPN 12V 200mA 225mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSV52.. 射频双极晶体管 | BSV52,215和BSV52的区别 | |
型号: BSV52LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 12V 200mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BSV52LT1G 单晶体管 双极, NPN, 12 V, 400 MHz, 225 mW, 100 mA, 25 hFE | BSV52,215和BSV52LT1G的区别 | |
型号: NSS12201LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23-3 NPN 540mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NSS12201LT1G 双极性晶体管, NPN, 12V SOT-23 | BSV52,215和NSS12201LT1G的区别 |