2N6338G、JAN2N3441、2N6338对比区别

高亮显示差异参数

型号 2N6338G JAN2N3441 2N6338

描述 高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon TransistorsNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 3 -

封装 TO-204-2 TO-66 TO-204

频率 40 MHz - -

额定电压(DC) 100 V - 100 V

额定电流 25.0 A - 25.0 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 200 W 3 W -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 140 V 100 V

集电极最大允许电流 25A 3A 25A

最小电流放大倍数(hFE) 30 @10A, 2V 25 @500mA, 4V 30 @10A, 2V

最大电流放大倍数(hFE) 120 - 120

额定功率(Max) 200 W 3 W 200 W

直流电流增益(hFE) 40 - -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 200000 mW 3000 mW -

长度 39.37 mm - -

宽度 26.67 mm - -

高度 8.51 mm - -

封装 TO-204-2 TO-66 TO-204

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

最小包装 - - 100

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

军工级 Yes - -

ECCN代码 EAR99 - -