JAN2N3441
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N3441中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 3 W
击穿电压集电极-发射极 140 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 25 @500mA, 4V
额定功率Max 3 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 3000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-66
外形尺寸
封装 TO-66
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N3441引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N3441
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N3441 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-66 NPN 3000mW | 当前型号 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： 2N6338G 品牌： 安森美 封装： SMB NPN 100V 25A 200000mW | 功能相似 | 高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors | JAN2N3441和2N6338G的区别 |
| 型号： 2N6057 品牌： NTE Electronics 封装： NPN | 功能相似 | NTE ELECTRONICS 2N6057 晶体管, NPN, 100V, 12A, TO-204AA-2 | JAN2N3441和2N6057的区别 |
| 型号： 2N6059 品牌： NTE Electronics 封装： NPN 150W | 功能相似 | NTE ELECTRONICS 2N6059 Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 100V, 4MHz, 150W, 12A, 750 hFE | JAN2N3441和2N6059的区别 |