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2N6338G

高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors

- 双极 BJT - 单 NPN 40MHz 通孔 TO-204(TO-3)


得捷:
TRANS NPN 100V 25A TO204


立创商城:
2N6338G


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 25A 100V 200W NPN


艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 25A 200000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


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Trans GP BJT NPN 100V 25A 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


Verical:
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Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 100 V, 40 MHz, 200 W, 25 A, 40 hFE


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 100V 25A 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


2N6338G中文资料参数规格
技术参数

频率 40 MHz

额定电压DC 100 V

额定电流 25.0 A

极性 NPN

耗散功率 200 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 25A

最小电流放大倍数hFE 30 @10A, 2V

最大电流放大倍数hFE 120

额定功率Max 200 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-204-2

外形尺寸

长度 39.37 mm

宽度 26.67 mm

高度 8.51 mm

封装 TO-204-2

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

军工级 Yes

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N6338G引脚图与封装图
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在线购买2N6338G
型号 制造商 描述 购买
2N6338G ON Semiconductor 安森美 高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors 搜索库存
替代型号2N6338G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N6338G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SMB NPN 100V 25A 200000mW

当前型号

高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors

当前型号

型号: 2N6338

品牌: 安森美

封装: TO-3 NPN 100V 25A

完全替代

高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors

2N6338G和2N6338的区别

型号: 2N6059

品牌: 意法半导体

封装: TO-3 NPN 100V 12A 150000mW

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