2N6338中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 25.0 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 25A
最小电流放大倍数hFE 30 @10A, 2V
最大电流放大倍数hFE 120
额定功率Max 200 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-204
外形尺寸
封装 TO-204
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
最小包装 100
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
2N6338引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2N6338
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N6338 | ON Semiconductor 安森美 | 高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors | 搜索库存 |
替代型号2N6338
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N6338 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-3 NPN 100V 25A | 当前型号 | 高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors | 当前型号 |
| 型号： 2N6338G 品牌： 安森美 封装： SMB NPN 100V 25A 200000mW | 完全替代 | 高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors | 2N6338和2N6338G的区别 |
| 型号： 2N6057 品牌： NTE Electronics 封装： NPN | 类似代替 | NTE ELECTRONICS 2N6057 晶体管, NPN, 100V, 12A, TO-204AA-2 | 2N6338和2N6057的区别 |
| 型号： 2N6059 品牌： NTE Electronics 封装： NPN 150W | 功能相似 | NTE ELECTRONICS 2N6059 Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 100V, 4MHz, 150W, 12A, 750 hFE | 2N6338和2N6059的区别 |