锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FDS6670A、SI4162DY-T1-GE3、SI4048DY-T1-GE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS6670A SI4162DY-T1-GE3 SI4048DY-T1-GE3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6670A  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 1.8 VVISHAY  SI4162DY-T1-GE3..  晶体管, MOSFET, N沟道, 19.3 A, 30 V, 6.5 mohm, 10 V, 1 VVISHAY  SI4048DY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 19.3 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 8 mΩ 0.0065 Ω 0.007 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 5 W 5.7 W

阈值电压 1.8 V 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 13.0 A - -

通道数 1 - -

漏源击穿电压 30 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 13.0 A - -

上升时间 15 ns 15 ns -

输入电容(Ciss) 2220pF @15V(Vds) - -

额定功率(Max) 1 W - -

下降时间 42 ns 10 ns -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2500 mW -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.5 mm -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -