FDS6670A
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS6670A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 13.0 A
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 8 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 13.0 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 2220pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 42 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
FDS6670A引脚图与封装图
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在线购买FDS6670A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS6670A | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6670A 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 1.8 V | 搜索库存 |
替代型号FDS6670A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS6670A 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 13A 8mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6670A 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 1.8 V | 当前型号 |
| 型号： FDS7760A 品牌： 飞兆/仙童 封装： SO N-Channel 30V 15A 5.5mohms | 类似代替 | N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET | FDS6670A和FDS7760A的区别 |
| 型号： SI4162DY-T1-GE3 品牌： 威世 封装： SOIC N-Channel | 功能相似 | VISHAY SI4162DY-T1-GE3.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 19.3 A, 30 V, 6.5 mohm, 10 V, 1 V | FDS6670A和SI4162DY-T1-GE3的区别 |