SI4162DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0065 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 15 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
SI4162DY-T1-GE3引脚图与封装图 
SI4162DY-T1-GE3引脚图
SI4162DY-T1-GE3封装焊盘图
在线购买SI4162DY-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4162DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI4162DY-T1-GE3.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 19.3 A, 30 V, 6.5 mohm, 10 V, 1 V | 搜索库存 |
替代型号SI4162DY-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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