SI4048DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.007 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5.7 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI4048DY-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI4048DY-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4048DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI4048DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 19.3 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1 V | 搜索库存 |
替代型号SI4048DY-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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