BVSS84LT1G、SBSS84LT1G、LBSS84LT1G对比区别

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型号 BVSS84LT1G SBSS84LT1G LBSS84LT1G

描述 功率MOSFET的单P沟道SOT- 23 -50 V， 10 ？ Power MOSFET Single P-Channel SOT-23 -50 V, 10-50V,-130mA,10Ω,单P沟道功率MOSFETMOS(场效应管)/LBSS84LT1G

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Leshan Radio (乐山无线电)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 4.7 Ω 4.7 Ω 10 Ω

耗散功率 0.225 W 0.225 W -

阈值电压 2 V - 0.8 V

漏源极电压(Vds) 50 V 50 V 50 V

上升时间 9.7 ns 9.7 ns 1 ns

输入电容(Ciss) 36pF @5V(Vds) 36pF @5V(Vds) -

额定功率(Max) 225 mW - -

下降时间 1.7 ns 1.7 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 225mW (Ta) 225mW (Ta) -

极性 - P-CH P

连续漏极电流(Ids) - 0.13A 0.13A

通道数 - 1 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

最小包装 - - 3000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -