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乐山无线电—菲尼克斯半导体有限公司,是乐山无线电股份有限公司于1995年与全球著名电子企业摩托罗拉公司在中国的首家合资企业。一九九九年,合资公司的股权转为由美国安森美半导体公司即独立上市的原摩托罗拉半导体元件部和乐山无线电股份有限公司共同持有。 乐山――菲尼克斯半导体有限公司总投资已超过2.3亿美元,已建成SOT系列、SC系列、SOD系列等新型表面贴装器件生产线,产能达280亿只。产品主要应用于电子及电器设备、汽车行业、通讯系统、宽带数据技术、电脑和家用电器等。公司正在向产品的小型化、集成化加速发展。公司现生产周期平均为1.2天,达到世界先进水平;品质达到并超过六个西格玛标准;市场需求量超越产量,达到零库存目标;超越中国及世界卫生组织鉴定的环保标准。

英文全称:LRC

中文全称:乐山无线电

英文简称:LRC

品牌介绍: 乐山无线电LRC

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
L2SA812RLT1G_晶体管IGBT
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集电极电流Ic:150mA 额定功率:200mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:50V

晶体管IGBT

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L9015QLT1G_晶体管IGBT
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集电极电流Ic:100mA 额定功率:225mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:45V

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LBC807-25LT1G_晶体管IGBT
授权代理品牌

集电极电流Ic:500mA 额定功率:225mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:45V

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LDTC144EM3T5G_晶体管IGBT
授权代理品牌
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LBC807-16LT1G_晶体管IGBT
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集电极电流Ic:500mA 额定功率:500mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:45V

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集电极电流Ic:200mA 额定功率:200mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:40V

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LBC847CLT1G_晶体管IGBT
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集电极电流Ic:100mA 额定功率:225mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:45V

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L2SC3356LT1G_晶体管IGBT
授权代理品牌

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LMBT2222AWT1G_晶体管IGBT
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L9014RLT1G_晶体管IGBT
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LBC847BPDW1T1G_晶体管IGBT
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L8550HRLT1G_晶体管IGBT
授权代理品牌

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L9012RLT1G_晶体管IGBT
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授权代理品牌

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LBC846BPDW1T1G_晶体管IGBT
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L8050HRLT1G_晶体管IGBT
授权代理品牌

集电极电流Ic:1.5A 额定功率:300mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:25V

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LMBT2222ATT1G_晶体管IGBT
授权代理品牌

集电极电流Ic:600mA 额定功率:150mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:40V

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LH8050QLT1G_晶体管IGBT
授权代理品牌

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LBC847BLT1G_晶体管IGBT
授权代理品牌

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LMBT2222ALT1G_晶体管IGBT
授权代理品牌

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L8050QLT1G_晶体管IGBT
授权代理品牌

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授权代理品牌

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L9012QLT1G_晶体管IGBT
授权代理品牌

集电极电流Ic:500mA 额定功率:225mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:20V

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LBC847ALT1G_晶体管IGBT
授权代理品牌

集电极电流Ic:100mA 额定功率:225mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:45V

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L8550HQLT1G_晶体管IGBT
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LMBT3946DW1T1G_晶体管IGBT
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集电极电流Ic:200mA 额定功率:150mW 晶体管类型:NPN,PNP 集射极击穿电压Vce:40V

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国内:1~2 天

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