BC856BLT3G、BCW89,215、BC 856B E6433对比区别

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型号 BC856BLT3G BCW89,215 BC 856B E6433

描述 PNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管TO-236AB PNP 60V 0.1A双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 150 MHz -

额定电压(DC) -65.0 V - -65.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

额定功率 225 mW - -

针脚数 3 - -

极性 PNP PNP -

耗散功率 225 mW 0.25 W 330 mW

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 60 V 65 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 120 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) 225 mW 250 mW 330 mW

直流电流增益(hFE) 220 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 250 mW 330 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 120 @2mA, 5V -

长度 2.9 mm - 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.94 mm - 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -