BCW89,215

NXP 恩智浦分立器件

TO-236AB PNP 60V 0.1A

Bipolar BJT Transistor PNP 60 V 100 mA 150MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB

得捷:
NEXPERIA BCW89 - SMALL SIGNAL BI

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 3-Pin TO-236AB T/R

富昌:
Sot 23 Transistor

Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

BCW89,215中文资料参数规格

技术参数

频率 150 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 120 @2mA, 5V

额定功率Max 250 mW

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCW89,215引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
BCW89,215	NXP 恩智浦	TO-236AB PNP 60V 0.1A	搜索库存

替代型号BCW89,215

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： BCW89,215 品牌： NXP 恩智浦封装： TO-236-3 PNP 250mW	当前型号	TO-236AB PNP 60V 0.1A	当前型号
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型号： MMBTA55LT1G 品牌：安森美封装： SOT-23 PNP -60V -500mA 300mW	功能相似	ON SEMICONDUCTOR MMBTA55LT1G 单晶体管双极, PNP, -60 V, 50 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE	BCW89,215和MMBTA55LT1G的区别
型号： BC856BLT3G 品牌：安森美封装： SOT-23 PNP -65V -100mA 300mW	功能相似	PNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管通用晶体管双 NPN 和 PNP 晶体管功率晶体管高电压晶体管射频双极晶体管低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管	BCW89,215和BC856BLT3G的区别