![BC 856B E6433](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_42/chanpintu/bc-856b-e6433-O6PERoht-0nqQdDDZe.png)
额定电压DC -65.0 V
额定电流 -100 mA
耗散功率 330 mW
击穿电压集电极-发射极 65 V
最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V
额定功率Max 330 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 330 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BC 856B E6433 | Infineon 英飞凌 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC 856B E6433 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SOT-23 -65V -100mA | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: BC856B-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-23-3 PNP 350mW | 功能相似 | BC856B 系列 65 V 100 mA 表面贴装 PNP 通用 晶体管 - SOT-23 | BC 856B E6433和BC856B-7-F的区别 | |
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型号: BC856B,215 品牌: 恩智浦 封装: SOT-23 PNP 250mW | 功能相似 | NXP BC856B,215 单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 220 hFE | BC 856B E6433和BC856B,215的区别 |