锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

2SK3018T106、RSR025N03TL、BSS123LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SK3018T106 RSR025N03TL BSS123LT1G

描述 ROHM  2SK3018T106  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 VROHM  RSR025N03TL  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 70 mohm, 10 V, 2.5 VN 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 100 V

额定电流 100 mA 2.50 A 170 mA

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 8 Ω 0.07 Ω 6 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 mW 1 W 225 mW

阈值电压 1.5 V 2.5 V 800 mV

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 100 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 100 mA 2.50 A 170 mA

上升时间 35 ns 10 ns -

输入电容(Ciss) 13pF @5V(Vds) 165pF @10V(Vds) 20pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 200 mW 1 W 225 mW

下降时间 80 ns 5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200mW (Ta) 1W (Ta) 225mW (Ta)

额定功率 - - 0.225 W

无卤素状态 - - Halogen Free

通道数 - - 1

输入电容 - - 20pF @25V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

正向电压(Max) - - 1.3 V

高度 - 0.95 mm 0.94 mm

封装 SOT-323 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - - 2.9 mm

宽度 - - 1.3 mm

材质 - Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not For New Designs Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2016/06/20

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99