2SK3018T106
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SK3018T106中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 100 mA
针脚数 3
漏源极电阻 8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 100 mA
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 13pF @5VVds
额定功率Max 200 mW
下降时间 80 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 200mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
外形尺寸
封装 SOT-323
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Power Management, Power Management, Portable Devices, Industrial, Industrial, Portable Devices, 电源管理, 便携式器材
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
2SK3018T106引脚图与封装图 
2SK3018T106引脚图
2SK3018T106封装图
2SK3018T106封装焊盘图
在线购买2SK3018T106
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SK3018T106 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM 2SK3018T106 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V | 搜索库存 |
替代型号2SK3018T106
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SK3018T106 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-323 N-Channel 30V 100mA 7ohms | 当前型号 | ROHM 2SK3018T106 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V | 当前型号 |
| 型号： 2SK3019TL 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-416 N-Channel 30V 100mA 7ohms | 类似代替 | ROHM 2SK3019TL 晶体管, MOSFET, 低栅极驱动器, N沟道, 100 mA, 30 V, 13 ohm, 4 V, 1.5 V | 2SK3018T106和2SK3019TL的区别 |
| 型号： RTR025N03TL 品牌： 罗姆半导体 封装： TSMT3 N-Channel 30V 2.5A 950mohms | 类似代替 | N 沟道 1 W 30 V 133 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TSMT-3 | 2SK3018T106和RTR025N03TL的区别 |
| 型号： RSR025N03TL 品牌： 罗姆半导体 封装： TSMT3 N-Channel 30V 2.5A 830mohms | 类似代替 | ROHM RSR025N03TL 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 70 mohm, 10 V, 2.5 V | 2SK3018T106和RSR025N03TL的区别 |