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BSS123LT1G

BSS123LT1G

数据手册.pdf

N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,

### MOSFET ,ON Semiconductor


欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET BSS123LT1G, 170 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装


立创商城:
N沟道 100V 170mA 功率 MOSFET 170 mA,100 V,N 沟道 SOT-23


得捷:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3


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MOSFET 100V 170mA N-Channel


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Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R


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MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 100VDC; RDSON 5 Ohms; ID 0.17A; SOT-23 TO-236; PD 225mW


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Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R


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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23


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小信号N沟道SOT23封装场效应管


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MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23


BSS123LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 170 mA

额定功率 0.225 W

无卤素状态 Halogen Free

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 6 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 225 mW

阈值电压 800 mV

输入电容 20pF @25V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 170 mA

正向电压Max 1.3 V

输入电容Ciss 20pF @25VVds

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 车用, Automotive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

BSS123LT1G引脚图与封装图
BSS123LT1G引脚图

BSS123LT1G引脚图

BSS123LT1G封装图

BSS123LT1G封装图

BSS123LT1G封装焊盘图

BSS123LT1G封装焊盘图

在线购买BSS123LT1G
型号 制造商 描述 购买
BSS123LT1G ON Semiconductor 安森美 N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor 搜索库存
替代型号BSS123LT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSS123LT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 100V 170mA 6ohms 20pF

当前型号

N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

当前型号

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