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RSR025N03TL

RSR025N03TL

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

ROHM  RSR025N03TL  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 70 mohm, 10 V, 2.5 V

The is a N-channel middle Power MOSFET offers 30V drain source voltage and ±2.5A continuous drain current. It is suitable for use in switching applications.

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Low ON-resistance
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Built-in G-S protection diode
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Small surface-mount package
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-55 to 150°C Operating junction temperature range
RSR025N03TL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 2.50 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.07 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 2.50 A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 165pF @10VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 0.95 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management, 电源管理, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

RSR025N03TL引脚图与封装图
RSR025N03TL引脚图

RSR025N03TL引脚图

RSR025N03TL封装图

RSR025N03TL封装图

RSR025N03TL封装焊盘图

RSR025N03TL封装焊盘图

在线购买RSR025N03TL
型号 制造商 描述 购买
RSR025N03TL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 ROHM  RSR025N03TL  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 70 mohm, 10 V, 2.5 V 搜索库存
替代型号RSR025N03TL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: RSR025N03TL

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: TSMT3 N-Channel 30V 2.5A 830mohms

当前型号

ROHM  RSR025N03TL  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 70 mohm, 10 V, 2.5 V

当前型号

型号: 2SK3019TL

品牌: 罗姆半导体

封装: SOT-416 N-Channel 30V 100mA 7ohms

类似代替

ROHM  2SK3019TL  晶体管, MOSFET, 低栅极驱动器, N沟道, 100 mA, 30 V, 13 ohm, 4 V, 1.5 V

RSR025N03TL和2SK3019TL的区别

型号: 2SK3018T106

品牌: 罗姆半导体

封装: SOT-323 N-Channel 30V 100mA 7ohms

类似代替

ROHM  2SK3018T106  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V

RSR025N03TL和2SK3018T106的区别

型号: 2N7002ET1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23-3 N-Channel 60V 310mA

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  2N7002ET1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V

RSR025N03TL和2N7002ET1G的区别