BC639RL1G、BC639_D27Z、BC639G对比区别
型号 BC639RL1G BC639_D27Z BC639G
描述 ON SEMICONDUCTOR BC639RL1G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFETrans GP BJT NPN 80V 1A 3Pin TO-92 T/RON SEMICONDUCTOR BC639G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3
频率 200 MHz - 200 MHz
额定电压(DC) 80.0 V - 80.0 V
额定电流 1.00 A - 1.00 A
针脚数 3 - 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 800 mW - 800 mW
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 1A 1A 1A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V
额定功率(Max) 625 mW 1 W 625 mW
直流电流增益(hFE) 40 - 40
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 625 mW - 625 mW
额定功率 - - 800 mW
长度 5.2 mm - 5.2 mm
宽度 4.19 mm - 4.19 mm
高度 5.33 mm - 5.33 mm
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Box
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 - - NLR