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BC639RL1G

ON SEMICONDUCTOR  BC639RL1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE

通用 NPN ,最大 1A,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 80V 1A TO92


欧时:
ON Semiconductor BC639RL1G , NPN 双极晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:40, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  BC639RL1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 T/R


Allied Electronics:
BC639RL1G, SS T092 HC XSTR NPN 80V


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 T/R


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 T/R


BC639RL1G中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

额定电压DC 80.0 V

额定电流 1.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 800 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

额定功率Max 625 mW

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC639RL1G引脚图与封装图
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在线购买BC639RL1G
型号 制造商 描述 购买
BC639RL1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  BC639RL1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE 搜索库存
替代型号BC639RL1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC639RL1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-92 NPN 80V 1A 625mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  BC639RL1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE

当前型号

型号: BC639G

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 80V 1A 625mW

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  BC639G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE

BC639RL1G和BC639G的区别

型号: BC639-16ZL1G

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 80V 1A 625mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BC639-16ZL1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 100 hFE

BC639RL1G和BC639-16ZL1G的区别

型号: BC639ZL1G

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 80V 1A 625mW

类似代替

高电流晶体管 High Current Transistors

BC639RL1G和BC639ZL1G的区别