BC639_D27Z
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
BC639_D27Z中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC639_D27Z引脚图与封装图
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在线购买BC639_D27Z
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC639_D27Z | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans GP BJT NPN 80V 1A 3Pin TO-92 T/R | 搜索库存 |
替代型号BC639_D27Z
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC639_D27Z 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 80V 1A 3Pin TO-92 T/R | 当前型号 |
| 型号： BC639RL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 80V 1A 625mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC639RL1G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE | BC639_D27Z和BC639RL1G的区别 |
| 型号： BC639-16ZL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 80V 1A 625mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC639-16ZL1G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 100 hFE | BC639_D27Z和BC639-16ZL1G的区别 |
| 型号： BC63916_D27Z 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 80V 1A 1000mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC63916_D27Z 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 830 mW, 1 A, 25 hFE | BC639_D27Z和BC63916_D27Z的区别 |