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BC639G

ON SEMICONDUCTOR  BC639G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE

通用 NPN ,最大 1A,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 80V 1A TO92


欧时:
ON Semiconductor BC639G , NPN 双极晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:25, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  BC639G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Box


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Box


TME:
Transistor: NPN; 100V; 1A; 800mW; TO92


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Box


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Bulk


BC639G中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

额定电压DC 80.0 V

额定电流 1.00 A

额定功率 800 mW

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 800 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

额定功率Max 625 mW

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

制造应用 Industrial, 消费电子产品, 工业, Consumer Electronics

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

BC639G引脚图与封装图
BC639G引脚图

BC639G引脚图

BC639G封装图

BC639G封装图

BC639G封装焊盘图

BC639G封装焊盘图

在线购买BC639G
型号 制造商 描述 购买
BC639G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  BC639G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE 搜索库存
替代型号BC639G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC639G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-92 NPN 80V 1A 625mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  BC639G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE

当前型号

型号: BC639RL1G

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 80V 1A 625mW

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  BC639RL1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE

BC639G和BC639RL1G的区别

型号: BC639-16ZL1G

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 80V 1A 625mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BC639-16ZL1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 100 hFE

BC639G和BC639-16ZL1G的区别

型号: BC639ZL1G

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 80V 1A 625mW

类似代替

高电流晶体管 High Current Transistors

BC639G和BC639ZL1G的区别