TPS1101D、TPS1101DR、TPS1101DG4对比区别

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型号 TPS1101D TPS1101DR TPS1101DG4

描述 MOSFET 晶体管，Texas Instruments单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

通道数 1 1 -

漏源极电阻 90 mΩ 0.09 Ω -

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 791 mW 791 mW 0.791 W

漏源极电压(Vds) 15 V 15 V 15 V

漏源击穿电压 15 V 15 V -

连续漏极电流(Ids) -2.30 A 2.3A 2.3A

上升时间 5.5 ns 5.5 ns 5.5 ns

额定功率(Max) 791 mW 791 mW -

下降时间 13 ns 13 ns 13 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -

耗散功率(Max) 791 mW 791mW (Ta) 791mW (Ta)

额定电压(DC) -15.0 V - -

额定电流 -2.30 A - -

输出电压 -15.0 V - -

输出电流 ≤2.30 A - -

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.91 mm 3.9 mm -

高度 1.58 mm 1.75 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

香港进出口证 NLR - -