KST5551MTF、MMBT5551LT3G、MMBT5551对比区别
型号 KST5551MTF MMBT5551LT3G MMBT5551
描述 NPN 晶体管，高于 100V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5551 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFE
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 300 MHz - 300 MHz
额定电压(DC) 160 V 160 V 160 V
额定电流 600 mA 600 mA 600 mA
针脚数 - - 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 0.35 W 225 mW 350 mW
击穿电压(集电极-发射极) 160 V 160 V 160 V
最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V
额定功率(Max) 350 mW 225 mW 350 mW
直流电流增益(hFE) - 80 250
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 350 mW 225 mW 350 mW
集电极最大允许电流 0.6A 0.6A -
额定功率 - 225 mW -
长度 2.9 mm 3.04 mm 2.92 mm
宽度 1.3 mm 2.64 mm 1.3 mm
高度 0.97 mm 1.11 mm 0.93 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
HTS代码 - - 8541210075