KST5551MTF
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KST5551MTF中文资料参数规格
技术参数
频率 300 MHz
额定电压DC 160 V
额定电流 600 mA
极性 NPN
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.97 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
KST5551MTF引脚图与封装图
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在线购买KST5551MTF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| KST5551MTF | Fairchild 飞兆/仙童 | NPN 晶体管，高于 100V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 搜索库存 |
替代型号KST5551MTF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KST5551MTF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23 NPN 160V 600mA 350mW | 当前型号 | NPN 晶体管，高于 100V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 当前型号 |
| 型号： MMBT5551 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 NPN 160V 600mA 0.35W | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5551 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFE | KST5551MTF和MMBT5551的区别 |
| 型号： MMBT5551LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 160V 600mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT5551LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE | KST5551MTF和MMBT5551LT1G的区别 |
| 型号： MMBT5551LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 160V 600mA 300mW | 功能相似 | NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | KST5551MTF和MMBT5551LT3G的区别 |