BSS123LT1G、BSS131、BSS123对比区别

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型号 BSS123LT1G BSS131 BSS123

描述 N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorINFINEON  BSS131  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 240 V, 7.7 ohm, 10 V, 1.4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS123  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 100 V - 100 V

额定电流 170 mA - 170 mA

额定功率 0.225 W - 250 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

通道数 1 - 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 6 Ω 7.7 Ω 1.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 225 mW 360 mW 360 mW

阈值电压 800 mV 1.4 V 1.7 V

输入电容 20pF @25V - 73.0 pF

漏源极电压(Vds) 100 V 240 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 170 mA 100 mA 170 mA

正向电压(Max) 1.3 V - -

输入电容(Ciss) 20pF @25V(Vds) - 73pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 225 mW - 360 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 225mW (Ta) - 0.36 W

栅电荷 - - 2.50 nC

上升时间 - - 9 ns

下降时间 - - 2.4 ns

长度 2.9 mm - 2.92 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.94 mm - 0.93 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99