BSS123
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
BSS123中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 170 mA
额定功率 250 mW
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 360 mW
阈值电压 1.7 V
输入电容 73.0 pF
栅电荷 2.50 nC
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 170 mA
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 73pF @25VVds
额定功率Max 360 mW
下降时间 2.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.36 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
BSS123引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BSS123
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSS123 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V | 搜索库存 |
替代型号BSS123
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSS123 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23 N-Channel 100V 170mA 6ohms 73pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V | 当前型号 |
| 型号： MMBF170 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 N-Channel 60V 500mA 5ohms 40pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF170 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V | BSS123和MMBF170的区别 |
| 型号： BSS123LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 100V 170mA 6ohms 20pF | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | BSS123和BSS123LT1G的区别 |
| 型号： BSS123-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23 N-Channel 100V 170mA 10Ω | 功能相似 | 三极管 | BSS123和BSS123-7-F的区别 |