MMBFJ310LT3G、MMBFU310LT1G、PMBFJ310,215对比区别

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型号 MMBFJ310LT3G MMBFU310LT1G PMBFJ310,215

描述 N 通道 JFET，ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。ON SEMICONDUCTOR  MMBFU310LT1G  晶体管, JFET, JFET, 25 V, 24 mA, 60 mA, 6 V, SOT-23, JFETJFET N-CH 25V 0.25W(1/4W) SOT23

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V -

额定电流 10.0 mA 10.0 mA -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

击穿电压 -25.0 V -25.0 V -25.0 V

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 225 mW 225 mW -

输入电容 5.00 pF - -

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25 V

栅源击穿电压 25.0 V 25.0 V -

增益 12 dB - -

测试电流 10 mA - -

击穿电压 25 V 25 V 25 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

额定电压 25 V - -

连续漏极电流(Ids) - 10.0 mA -

输入电容(Ciss) - 5pF @10V(Vgs) 5pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 225 mW 250 mW

耗散功率(Max) - 225 mW -

漏源极电阻 - - 50 Ω

长度 3.04 mm - -

宽度 1.4 mm - -

高度 1.01 mm - 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -