PMBFJ310,215
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PMBFJ310,215中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 -25.0 V
漏源极电阻 50 Ω
漏源极电压Vds 25 V
击穿电压 25 V
输入电容Ciss 5pF @10VVds
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMBFJ310,215引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PMBFJ310,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMBFJ310,215 | NXP 恩智浦 | JFET N-CH 25V 0.25W1/4W SOT23 | 搜索库存 |
替代型号PMBFJ310,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMBFJ310,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236-3 | 当前型号 | JFET N-CH 25V 0.25W1/4W SOT23 | 当前型号 |
| 型号： PMBFJ309,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236-3 250mW | 完全替代 | PMBFJ309 系列 25 Vds 50 mA N 通道 硅 场效应晶体管 - TO-236AB | PMBFJ310,215和PMBFJ309,215的区别 |
| 型号： PMBFJ308,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236-3 250mW | 完全替代 | NXP PMBFJ308,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=25 V, Idss: 12 → 60mA, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | PMBFJ310,215和PMBFJ308,215的区别 |
| 型号： PMBFJ308 品牌： 恩智浦 封装： | 完全替代 | N 通道 JFET，NXP### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。 | PMBFJ310,215和PMBFJ308的区别 |