BQ4016MC-70、BQ4016YMC-70、DS1265AB-70+对比区别

高亮显示差异参数

型号 BQ4016MC-70 BQ4016YMC-70 DS1265AB-70+

描述 1024Kx8非易失SRAM 1024Kx8 Nonvolatile SRAM1024k x 8 非易失性 SRAM,10% 电压容限IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIP

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 36 36 36

封装 DIP-36 DIP-36 EDIP-36

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max)

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz

存取时间 70.0 ns 70.0 ns 70.0 ns

内存容量 8000000 B 8000000 B 1000000 B

电源电压 4.75V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

存取时间(Max) 70 ns 70 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

供电电流 - 115 mA -

封装 DIP-36 DIP-36 EDIP-36

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -