BQ4016MC-70
TI(德州仪器)
电子元器件分类
BQ4016MC-70中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
时钟频率 70.0 GHz
存取时间 70.0 ns
内存容量 8000000 B
存取时间Max 70 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 36
封装 DIP-36
外形尺寸
封装 DIP-36
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BQ4016MC-70引脚图与封装图 
BQ4016MC-70引脚图
BQ4016MC-70封装图
BQ4016MC-70封装焊盘图
在线购买BQ4016MC-70
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BQ4016MC-70 | TI 德州仪器 | 1024Kx8非易失SRAM 1024Kx8 Nonvolatile SRAM | 搜索库存 |
替代型号BQ4016MC-70
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BQ4016MC-70 品牌： TI 德州仪器 封装： DIP 8000000B 5V 70ns 36Pin | 当前型号 | 1024Kx8非易失SRAM 1024Kx8 Nonvolatile SRAM | 当前型号 |
| 型号： BQ4016YMC-70 品牌： 德州仪器 封装： DIP 8000000B 5V 70ns 36Pin | 类似代替 | 1024k x 8 非易失性 SRAM,10% 电压容限 | BQ4016MC-70和BQ4016YMC-70的区别 |
| 型号： DS1265Y-70+ 品牌： 美信 封装： EDIP 8000000B 5V 70ns 36Pin | 功能相似 | Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36 | BQ4016MC-70和DS1265Y-70+的区别 |
| 型号： DS1265AB-100 品牌： 美信 封装： 36-DIP 8000000B 5V 100ns 36Pin | 功能相似 | IC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIP | BQ4016MC-70和DS1265AB-100的区别 |