BQ4016YMC-70

TI(德州仪器) 电子元器件分类

1024k x 8 非易失性 SRAM,10% 电压容限

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 8Mb 1M x 8 Parallel 70ns 36-DIP Module 18.42x52.96

得捷:
IC NVSRAM 8MBIT PAR 36DIP MODULE

艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 8Mbit 5V 36-Pin DIP Module

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 8M-Bit 5V 36-Pin DIP Module

Verical:
NVRAM NVSRAM Parallel 8Mbit 5V 36-Pin DIP Module

力源芯城:
1024k x 8 非易失性 SRAM,10% 电压容限

BQ4016YMC-70中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

供电电流 115 mA

时钟频率 70.0 GHz

存取时间 70.0 ns

内存容量 8000000 B

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 36

封装 DIP-36

外形尺寸

封装 DIP-36

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

BQ4016YMC-70引脚图与封装图

BQ4016YMC-70引脚图

BQ4016YMC-70封装图

BQ4016YMC-70封装焊盘图

在线购买BQ4016YMC-70

型号	制造商	描述	购买
BQ4016YMC-70	TI 德州仪器	1024k x 8 非易失性 SRAM,10% 电压容限	搜索库存

替代型号BQ4016YMC-70

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： BQ4016YMC-70 品牌： TI 德州仪器封装： DIP 8000000B 5V 70ns 36Pin	当前型号	1024k x 8 非易失性 SRAM,10% 电压容限	当前型号
型号： DS1265Y-70IND 品牌：美信封装： 36-DIP 8000000B 5V 70ns 36Pin	完全替代	IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIP	BQ4016YMC-70和DS1265Y-70IND的区别
型号： BQ4016MC-70 品牌：德州仪器封装： DIP 8000000B 5V 70ns 36Pin	类似代替	1024Kx8非易失SRAM 1024Kx8 Nonvolatile SRAM	BQ4016YMC-70和BQ4016MC-70的区别
型号： DS1265Y-70 品牌：美信封装： EDIP 8000000B 5V 70ns 36Pin	类似代替	IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIP	BQ4016YMC-70和DS1265Y-70的区别