DS1265AB-70+
数据手册.pdfMaxim Integrated(美信)
主动器件
DS1265AB-70+中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max
时钟频率 70.0 GHz
存取时间 70.0 ns
内存容量 1000000 B
电源电压 4.75V ~ 5.25V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 36
封装 EDIP-36
外形尺寸
封装 EDIP-36
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
DS1265AB-70+引脚图与封装图 
DS1265AB-70+引脚图
DS1265AB-70+封装图
DS1265AB-70+封装焊盘图
在线购买DS1265AB-70+
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DS1265AB-70+ | Maxim Integrated 美信 | IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIP | 搜索库存 |
替代型号DS1265AB-70+
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DS1265AB-70+ 品牌： Maxim Integrated 美信 封装： 36-DIP 1000000B 5V 70ns 36Pin | 当前型号 | IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIP | 当前型号 |
| 型号： DS1265Y-70+ 品牌： 美信 封装： EDIP 8000000B 5V 70ns 36Pin | 类似代替 | Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36 | DS1265AB-70+和DS1265Y-70+的区别 |
| 型号： DS1265W-100IND 品牌： 美信 封装： 36-DIP 1000000B 3.3V 100ns 36Pin | 类似代替 | IC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIP | DS1265AB-70+和DS1265W-100IND的区别 |
| 型号： DS1265AB-100 品牌： 美信 封装： 36-DIP 8000000B 5V 100ns 36Pin | 类似代替 | IC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIP | DS1265AB-70+和DS1265AB-100的区别 |