MMDF2P02HDR2、MMDF2P02HDR2G对比区别
描述 功率MOSFET 2安培, 20伏P沟道SO- 8 ,双 Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8, Dual2A,-20V,P沟道功率双MOSFET
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V
额定电流 -2.00 A -2.00 A
漏源极电阻 160 mΩ 160 mΩ
极性 P-Channel Dual P-Channel
耗散功率 2.00 W 2 W
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
漏源击穿电压 20.0 V 20.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 3.30 A 3.30 A
输入电容(Ciss) 588pF @16V(Vds) 588pF @16V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 2 W
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 2 W
长度 - 5 mm
宽度 - 4 mm
高度 - 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99