MMDF2P02HDR2中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -2.00 A
漏源极电阻 160 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.00 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.30 A
输入电容Ciss 588pF @16VVds
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMDF2P02HDR2引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMDF2P02HDR2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMDF2P02HDR2 | ON Semiconductor 安森美 | 功率MOSFET 2安培， 20伏P沟道SO- 8 ，双 Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8, Dual | 搜索库存 |
替代型号MMDF2P02HDR2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMDF2P02HDR2 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOIC P-Channel 20V 3.3A 160mohms | 当前型号 | 功率MOSFET 2安培， 20伏P沟道SO- 8 ，双 Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8, Dual | 当前型号 |
| 型号： MMDF2P02HDR2G 品牌： 安森美 封装： SOIC Dual P-Channel 20V 3.3A 160mohms | 类似代替 | 2A,-20V,P沟道功率双MOSFET | MMDF2P02HDR2和MMDF2P02HDR2G的区别 |
| 型号： MMDF2P02HD 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | 功率MOSFET 2安培， 20伏P沟道SO- 8 ，双 Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8, Dual | MMDF2P02HDR2和MMDF2P02HD的区别 |