锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

ASEMI大功率MOS管90N10参数,90N10应用,90N10图示

时间:2023-10-07 10:07:01 115n10电容2513n10tc接近传感器

编辑-Z

ASEMI大功率MOS管90N10参数:

型号:90N10

漏源电压(VDSS):100V

连续漏极电流(ID):90A

栅源电压(VGSS):±20V

功耗(PD):125W

漏源漏电流(IDSS):100uA

网极阈值电压(VGS(TH)):3V

静态泄漏导电阻(RDS(ON)):8mΩ

输出电容(COSS):940pF

脉冲漏极电流(IDM):360A

漏源二极管正电压(VSD):1.2V

反向恢复时间(trr):65nS

90N10包装尺寸图:

封装:TO-220AB

总长度:29.7mm

本体长度:9.4mm

引脚长度:13.8mm

宽度:10.8mm

高度:4.8mm

脚间距:2.54mm

90N10特征:

低栅极电荷

低输入电容

快速切换

100%雪崩测试

改进的dv/dt能力

锐单商城拥有海量元器件数据手册IC替代型号,打造电子元器件IC百科大全!

相关文章