稳压二极管原理、参数、动态电阻特性
本博客主要简述稳压二极管的一些知识。
发布时间:2023-05-21
V_T = V_{T_0}+\gamma(\sqrt{|2\phi_{F}+V_{SB}|}-\sqrt{|\phi_{F}|}) VT=VT0+γ(∣2ϕF+VSB∣−∣ϕF∣) VT0:VSB=0时的经验值V_{T_0}:V_{SB}=0时的经验值VT0:VSB=0时的经验值 γ:体效应...
发布时间:2023-05-17
开关电源的设计是一个迭代过程,其中涉及许多变量,必须调整这些变量以获得优化的解决方案。然而,为了实现简单的低成本、低组件、单面板设计方法,需要权衡取舍。本方案提供了一种使用 NCP1055 高压开关稳压器设计...
发布时间:2022-12-30
米勒电容引起的寄生导通常被认为是碳化硅MOSFET的弱点。为了避免这种效应,硬开关逆变器通常采用负栅极电压关断。但是,这对于CoolSiC™MOSFET真的是必要的吗?
发布时间:2022-12-08
本文介绍了Sensor中常用的概念,Sensor的两种常见分类CCD Sensor和CMOS Sensor,重点介绍了CMOS Sensor的原理和特性。此外介绍了Sensor中常用的概念Gain和Flicker现象。
发布时间:2022-12-05
二极管参数大全 摘自网络 二极管参数大全 CT—势垒电容 Cj—结(极间)电容, ;表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容 Cjv—偏压结电容 Co—零偏压电容 Cjo—零偏压结电容 Cjo/Cjn—结...
发布时间:2022-10-23