VK36E4 4按键触摸触控IC替代传统按键灵敏度可调
芯片内部采用特殊的集成电路,具有高电源电压抑制比,可 减少按键检测错误的发生,此特性保证在不利环境条件的应用中芯片仍具有很高的可靠性。 此触摸芯片具有自动校准功能,低待机电流,抗电压波动等特性,为各种...
发布时间:2023-01-08
芯片内部采用特殊的集成电路,具有高电源电压抑制比,可 减少按键检测错误的发生,此特性保证在不利环境条件的应用中芯片仍具有很高的可靠性。 此触摸芯片具有自动校准功能,低待机电流,抗电压波动等特性,为各种...
发布时间:2023-01-08
编辑-ZASEMI场效应管12N65参数...0.68Ω输出电容(COSS):150pF最大脉冲正向电流(ISM):48A漏源二极管正向电压(VSD):1.4V反向恢复时间(trr):380nS 12N65规格尺寸:封装:TO-220AB总长度:30.47mm本体长度:9.4
发布时间:2023-01-02
AD8052、8054,其SR达145v/us,LM4562,SR达22v/us,OP37、LM318,还有OK721 722 724 15v/us 带宽11MHZ 高速高精密运放。 我始终觉得运放的压摆率(SR)是与运放的增益带宽积GBW同等重要的一个参数。但它却常常被人们所...
发布时间:2022-12-30
简 介: 利用二极管完成对信号的整流,求取绝对值等具有很多的应用。然而在小信号下,二极管的前向导通电压以及相应的杂散电容会对信号整流带来严重的影响。本文从“马场清太郎”所著的“运算放大器应用电路设计”中...
发布时间:2022-11-16
编辑-ZASEMI肖特基二极管1N5819参数:型号:1N5819峰值重复反向电压(VRRM):40V最大有效值电压(VRMS):28V平均整流正向电流(IF):1A非重复峰值浪涌电流(IFSM):25A最大瞬时正向电压(VF):0.6V最大瞬时反向...
发布时间:2022-10-21
本部分内容为“电子元件知识汇总1-封装、电子元件知识汇总2-封装”的扩展,主要侧重于电子元件的品牌以及采购,若需采购厂商参见“电子元件知识汇总3-厂商”,仅供参考。
发布时间:2022-09-10
编辑-ZASEMI超快恢复二极管ES1J参数:型号:ES1J峰值重复反向电压(VRRM):600VRMS反向电压(VRMS):420V平均整流正向电流(IF):1A非重复峰值浪涌电流(IFSM):30A最大瞬时正向电压(VF):1.7V最大瞬时反向...
发布时间:2022-09-08
BAT54A 是一种采用表面贴装器件 (SMD) 封装的肖特基二极管,可提供低导通压降和快速开关功能。该器件配备了用于 ESD 和瞬态保护的 PN 连接保护/保护环,也是符合 RoHS 的“绿色”器件。
发布时间:2022-09-08